Estimation des pertes dans les transistors bipolaires SiC

Cheng Chen (1) , Denis Labrousse (1) , Stéphane Lefebvre (1) , Cyril Buttay (2) , Hervé Morel (2)

1 SATIE - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie
2 EE - Ampère, Département Energie Electrique

Cet article traite de l'estimation des pertes dans les transistors bipolaire SiC. Deux méthodes sont présentées ici. La première, qualifiée d'électrique, consiste à mesurer la tension et le courant commutés par le composant puis de calculer les pertes par conduction et par commutation (amorçage et blocage indifférenciés). Cette méthode de mesure, très sensible, est ensuite comparée à la deuxième méthode dite méthode calorimétrique. Cette dernière simplifiée ici consiste à mesurer l'élévation de température d'un bloc d'aluminium sur lequel le transistor est monté. Connaissant la capacité thermique du bloc d'aluminium, il est ensuite possible de calculer les pertes totales dans le transistor pourvu (les échanges thermiques avec l'extérieur sont négligés pour le calcul). La faible différence de résultats valide la méthode électrique qui, combinée à la méthode de la double impulsion, permet l'étude de différents paramètres environnants (courant de base, courant de collecteur, diode anti-saturation, température de jonction...) pour une température de jonction quasi-constante.

Domains: Electric power

Cheng Chen, Denis Labrousse, Stéphane Lefebvre, Cyril Buttay, Hervé Morel. Estimation des pertes dans les transistors bipolaires SiC. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065220⟩