Modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation MOSFET-diode Schottky SiC en vue de la conception et de l'optimisation d'un dissipateur thermique

Gnimdu Dadanema (1) , François Costa (1) , Jean-Luc Schanen (2) , Christian Vollaire (3) , Yvan Avenas (2)

1 SATIE - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie
2 G2ELab - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble
3 MIS - Ampère, Département Méthodes pour l'Ingénierie des Systèmes

Dans cet article nous présentons un modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation à base de composants carbure de Silicium (SiC). L'approche utilisée pour la synthèse du modèle est détaillée dans la première partie de ce document. Dans la seconde partie de cet article nous présentons la méthode expérimentale utilisée pour l'estimation des pertes dans une cellule de commutation. La dernière partie de ce document sera consacré à la confrontation des résultats expérimentaux obtenus aux résultats prédits par le modèle analytique.

Keywords: optimisation; SiC; thermique; MOSFET; pertes; grand-gap

Domains: Engineering Sciences [physics]

Gnimdu Dadanema, François Costa, Jean-Luc Schanen, Christian Vollaire, Yvan Avenas. Modèle analytique d'estimation des pertes dans une cellule de commutation MOSFET-diode Schottky SiC en vue de la conception et de l'optimisation d'un dissipateur thermique. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361667⟩