Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications diode-less

Oriol Aviño Salvado (1) , Cheng Chen (2) , Cyril Buttay (1) , Hervé Morel (1) , Denis Labrousse (2) , Stéphane Lefebvre (2) , Marwan Ali (3)

1 EE - Ampère, Département Energie Electrique
2 SATIE - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie
3 SAFRAN Group

Le carbure de silicium, SiC, présente plusieurs avantages par rapport au silicium pour des applications en électronique de puissance, notamment en termes de faibles pertes. Néanmoins, la maturité technologique n'est pas totalement acquise et des problèmes de fiabilité persistent. Ce papier présente l'étude de l'utilisation des MOSFET SiC sur des applications de type onduleur «diode-less», ainsi que les différents phénomènes associés, parmi lesquels la dégradation de l'oxyde de grille. Plusieurs composants ont été testés et caractérisés périodiquement dans le cas d'un fonctionnement sous conduction inverse. Suite à cette caractérisation, il est observé une dérive de la tension de seuil fortement dépendante du rapport cyclique. Toutefois la jonction P-N ne montre pas de dégradation importante.

Domains: Engineering Sciences [physics]

Oriol Aviño Salvado, Cheng Chen, Cyril Buttay, Hervé Morel, Denis Labrousse, et al.. Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications diode-less. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361711⟩